Hakuto离子蚀刻机20IBE-J应用于硬盘 GMR 磁头

   日期:2020-12-11 15:17:25     浏览:38    
核心提示:硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度.GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR(Magneto Resisive)磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度.某硬盘磁头制造商采用伯东Hakuto 离子蚀刻机 20IB
硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度.


GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR(Magneto Resisive)磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度.


某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘磁头镀制GMR磁头导电材料和磁性材料薄膜构.


Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

portant;">

离子蚀刻

Φ4 inch X 12片

portant;">

基片尺寸

portant;">

Φ4 inch X 12片

Φ5 inch X 10片

Φ6 inch X 8片

portant;">

均匀性

portant;">

±5%

portant;">

硅片刻蚀率

portant;">

20 nm/min

portant;">

样品台

portant;">

直接冷却,水冷

portant;">

离子源

portant;">

Φ20cm 考夫曼离子源


Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

portant;">

离子源型号

portant;">

RFICP 220

portant;">

Discharge

portant;">

RFICP 射频

portant;">

离子束流

portant;">

>800 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

20 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦, 平行, 散射

portant;">

流量

portant;">

10-40 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

portant;">

30 cm

portant;">

直径

portant;">

41 cm

portant;">

中和器

portant;">

LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量


Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.


若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯东版权所有, 翻拷必究!


 
打赏
 
更多>同类行业资讯

推荐图文
推荐行业资讯
点击排行
新手指南
采购商服务
供应商服务
交易安全
关注我们
手机网站:
新浪微博:
微信关注:

周一至周五 9:00-18:00
(其他时间联系在线客服)

24小时在线客服